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考试内容和考试要求
1、半导体中的电子状态：半导体晶体结构和半导体的结合性质，半导体电子状态与能带，晶体中电子运动和有效质量，常见半导体能带结构，半导体导电电子与空穴。
2、杂质与缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级。
3、半导体中载流子的统计分布：状态密度，费米能级与载流子统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体。
4、半导体的导电性：半导体导电原理，载流子的漂移运动、迁移率、散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应。
5、非平衡载流子：非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，复合理论，非平衡载流子寿命，载流子漂移、扩散运动，陷阱效应，爱因斯坦关系式，连续性方程。
6、pn结：pn结及其能带图，pn结的电流-电压特性、电容特性、开关特性和击穿特性。
7、金属和半导体接触：金属半导体接触及其能带图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触。
8、半导体表面与MIS结构：半导体表面态，表面电场效应，MIS结构表面态，MIS结构的电容-电压特性，硅-二氧化硅系统的性质，表面电导及迁移率。
9、半导体异质结：异质结的形成机理及其能带图。
10、半导体的光学性质及光电效应：半导体的光吸收，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器；
11、半导体热电、磁电及压阻效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应，半导体的压阻效应。
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