更新日期：2018年9月1日

姓 名 姚若河 性 别 男 出生年月 1961年4月 籍贯 广东揭东县 民 族 汉族 政治面貌 中国共产党党员 最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士 技术职称 教授 导师类别 博、硕导 行政职务 Email phrhyao@scut.edu.cn 工作单位 电子与信息学院 邮政编码 510640 通讯地址 30号楼 单位电话

获奖、荣誉称号

广东省南粤优秀教师

社会、学会及学术兼职

广东省物理学会常务理事、副秘书长;
广东省电子学会常务理事;
广东省真空学会副理事长;
广东省半导体与集成技术专业学会副主任;
国家移动超声探测工程技术研究中心副主任.

研究领域

半导体器件、集成电路设计及可靠性、数字信号处理技术及应用

发表论文

1、 Cai Minxi, Yao Ruohe.A threshold voltage and drain current model for symmetric dual-gate amorphous InGaZnO thin film transistors. SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES. 2018，61（2）：022401:1–022401:10.
2、 M.X. Cai, R.H. Yao. A drain current model for amorphous InGaZnO thin film transistors considering temperature effects. Solid-State Electronics. 2018,141():23-30
3、 Li Jiahui,Yao Ruohe, Xiong Chao, Liu Yurong, Geng Kuiwei. Cu2ZnSn(S,Se)(4) thin films preparation by using ammonium polysulfoselenide-based ink. MATERIALS LETTERS. 2018, (210): 20-22
4、 Minxi Cai and Ruohe Yao. Modeling and characterization of the low frequency noise behavior for amorphous InGaZnO thin film transistors in the subthreshold region. Journal of Applied Physics. 2017,122（）：154503-1-7
5、 Fu Z. W., Zhou B., Yao R. H., Liu Y. R, Li X. P.. Electromigration Effect on Kinetics of Cu-Sn Intermetallic Compound Growth in Lead-Free Solder Joint. IEEE Transactions on Device and  Materials Reliability, 2017, 17(4):773-779
6、 Wu, Jiandong，Zhan Fan，Zhou Lei，Wu Weijing，Xu Miao，Wang Lei，Yao Ruohe，Peng Junbiao，Chan Mansun. A Low-Power Ring Oscillator Using Pull-Up Control Scheme Integrated by Metal-Oxide TFTs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017, 64(12): 4946-4951
7、 Li Jiahui, Yao Ruohe, Xiong Chao, Liu Yurong, Geng Kuiwei. Ammonium sulfide aqueous-based ink for Cu2ZnSnS4 thin film preparation. MATERIALS LETTERS. 2017, (201):97-100
8、 Lin Shaolong, Yao Ruohe, Luo Fei. A ROM Driving Circuit for RFID Tags Based on a-IGZO TFTs. IEICE Transactions on Electronics. 2017, E100( 9): 746-748
9、 Zhetong Liang, Weijian Liu, Ruohe Yao, Contrast Enhancement by Nonlinear Diffusion Filtering, IEEE Transactions on Image Processing. 2016，25（2）：673-686
10、 Zhang Li-Rong，Huang Chang-Yu，Li Guan-Ming，Zhou Lei, Wu Wei-Jing，Xu Miao，Wang Lei，Ning Hong-Long，Yao Ruo-He，Peng Jun-Biao，A Low-Power High-Stability Flexible Scan Driver Integrated by IZO TFTs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016,63(4):1779-1782
11、 Zhong Lihao, Yao Ruohe, Luo Fei. Pseudo-CMOS with Re-Pull-Down Transistor: A Low Power Inverter Design for Thin-Film Transistor. IEICE Transactions on Electronics. 2016,99(6):727-729
12、 Shen, Yi，Yao, Ruo-He，Improvement of the Conductivity of Silver Nanowire Film by Adding Silver Nano-Particles. CHINESE PHYSICS LETTERS. 2016, 33(3): 037801
13、 Zhe HUANG, Ruohe YAO, Fei LUO. Trigger Circuit of Hardware Trojan Based on Up/Down Counter，IEICE Transactions on Electronics. 2015,98(3):279-282
14、 Qin Jian;Yao Ruohe. Modeling of current–voltage characteristics for dual-gate amorphous silicon thin-film transistors considering deep Gaussian density-of-state distribution，Journal of Semiconductors，2015, 36(12) :124005-1-8
15、 Xu Piao-Rong, Yao Ruo-He. A model for threshold voltage shift under negative gate bias stress in amorphous InGaZnO thin film transistors, European Physical Journal: Applied physics. 2015,72（3）：30102-1-4
16、 Bian, Zhen-Peng; Yao, Ruo-He, Process, voltage and temperature compensation in a 1-MHz 130nm CMOS monolithic clock oscillator with 2.3% accuracy, International Joural of Electronics.  2015,102（10）： 1652-1663
17、 Huang CY ，Zhang LR，Zhou L ，Wu WJ ，Yao RH，Peng JB. A low-power scan driver employing IZO TFTs including an AC-DC type output module, Displays. 2015，38（）: 93-99
18、 Qiang, L. ;Yao, RH. A New Extraction Method of Trap States in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors. Journal of Display Technology. 2015，11（4）：325-329
19、 Xu Minghe，Bian Zhenpeng，Yao Ruohe，Fast Sign Detection Algorithm for the RNS Moduli Set {2(n+1)-1, 2(n)-1, 2(n)}. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems. 2015，23（2）：379-383
20、 Qiang, L. ;Yao, RH. A new drain current model for amorphous IGZO thin film transistors. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS,2015,70（1）：10101-1-4
21、 Qiang, L. , Yao, RH. A New Definition of the Threshold Voltage for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014,61(7):2394-2397
22、 Jian Qin; Yao, R.H. A physics-based scheme for potentials of a-Si:H TFT with symmetric dual gate considering deep Gaussian DOS distribution. Solid-State Electronics. 2014,95():46-51
23、 Zhong Chun-Liang, Yao, Ruo-He, Geng, Kui-Wei. An Improvement of the Capacitance-Voltage Method to Determine the Band Offsets in a-Si:H/c-Si Heterojunctions. IEEE Transactions on Electron Devices. 2014,61(2):394-399  
24、 Qiang, L. ;Yao, RH. Analysis of temperature effect on a-Si:H thin film transistors. SOLID-STATE ELECTRONICS .2013, 81(): 13-18  
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26、 Minghe Xu, Ruohe Yao，Fei Luo. An Low-Complexity Sign Detection Algorithm for RNS {2n-1,2n,2n+1}. IEICE Transactions on Electronics. 2012,95(9):1552-1556
27、 Qiang Lei， Yao Ruo-He. A Drain Current Model Based on the Temperature Effect of a-Si:H Thin-Film Transistors，CHINESE PHYSICS LETTERS，2012，29（9）：097301-1-4  
28、 Xu, Jiaxiong, Yao Ruohe，Liao Rong. Improved photovoltaic properties of a-Si/beta-FeSi2/c-Si double heterojunction by Al-doping，PHYSICA B-CONDENSED MATTER，2012，407（4）：756-758
29、 J.W.Chen, R.H.Yao. Efficient Modulo 2n+1 Multipliers, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems. 2011,19(12):2149-2157
30、 CHEN JianWen,YAO RuoHe. Efficient CRT-based residue-to-binary converter for the arbitrary moduli set. SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES.2011,54(1): 70-78
31、 Jiaxiong Xu, Ruohe Yao, Yurong Liu. Growth of _-FeSi2 thin film on textured silicon substrate for solar cell application. Applied Surface Science , 2011-9, 257 (23):10168– 10171
32、 Xiong Chao; Yao Ruo-He; Geng Kui-Wei. Photovoltage analysis of a heterojunction solar cell. CHINESE PHYSICS B . 2011, 20(5):057302-1-4
33、 Jiaxiong Xu, Ruohe Yao, and Kuiwei Geng. Photovoltaic characteristics of a-Si/b-FeSi2/c-Si double heterojunction fabricated by magnetron sputtering. J. Vac. Sci. Technol. A. 2011, 29(5): 051202-1-4
34、 Jiaxiong Xu, Ruohe Yao.Effect of Si/Fe ratio on the boron and phosphorus doping efficiency of β-FeSi2 by magnetron sputtering. Thin Solid Films 520 (2011) 515–518
35、 XU Jia-Xiong, YAO Ruo-He, LIU Yu-Rong. Fabrication of a ZnO:Al/Amorphous-FeSi2 Heterojunction at Room Temperature. CHIN. PHYS. LETT. 2011, 28(10):107304-1-3
36、 Wu, Wei-Jing, Zhou, Lei, Yao, Ruo-He, Peng, Jun-Biao. A New Voltage-Programmed Pixel Circuit for Enhancing the Uniformity of AMOLED Displays，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS , IEEE Electron Device Lett., 2011,32(7): 931-933
37、 C. L. Zhong, R. H. Yao and K.W.Geng. Characterization of interface states in a-Si H/c-Si heterojunctions by an expression of the theoretical diffusion capacitance. J. Phys. D: Appl. Phys. 43 (2010) 495102-1-6
38、 Z.P. Bian, R.H. Yao, F. Luo. Low-Voltage Class-AB CMOS Output Stage with Tunable Quiescent Current. IEICE Trans. Electron. 2010,93(5):1375-1376
39、 J.W.Chen, R.H.Yao. Efficient Modulo 2n+1 Multipliers for Diminished-1 Representation. IET Circuits Devices Syst. 2010,4(4):291-300
40、 W.J. Wu, R.H. Yao, X.R. Zheng. A new analytical threshold voltage model for the doped polysilicon thin-film transistors. Solid-State Electronics，2009，53（6）：607-612
41、 X. Yi, X. Chen, R. Yao. Frequency-adjustable clock oscillator based on frequency-to-voltage converter. Electronic Letters, 2009, 45(11):530-531
42、 K. W. Geng，F.Pan，R. H. Yao. Henkel analysis of Fe/Er Multilayers Prepared by Electron-Beam Evaporation. J.Appl.Phys.，2008, 104 (7): 3902-6
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44、 Y. Liu，R. H. Yao，B. Li. A physical model with the effects of self-heating and variable resistance in above-threshold region for hydrogenated amorphous silicon thin film transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008, 47( 6): 4436-4440
45、 X. Y. Duan，Y. J. Zhao ,R. H. Yao. Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr,N) codoping: A first-principles study. Solid State Communications, 2008，147（5-6）：194-197
46、 W.J. Wu, R.H. Yao, T. Chen, R.S. Chen, W.L. Deng, X.R. Zheng. A physical model of floating body effects in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics，2008，52（6）：930-936
47、 Y. Lu, R.H.Yao.Low-voltage constant-gm rail-to-rail CMOS operational amplifier input stage. Solid-State Electronics，2008，52（6）：957-961
48、 X. Y. Duan，R. H. Yao, Y. J. Zhao. The mechanism of Li, N dual-acceptor co-doped p-type ZnO. Applied Physics A，2008，91（3）：467-472
49、 . Y. Liu，R. H. Yao，B. Li.  An analytical model based on surface potential for a-Si:H thin film transistor. IEEE J. Display Technology，2008，4（2）：181-187
50、 W. J.Wu, R. H. Yao, S. H. Li, Y. F. Hu, W. L. Deng, and X. R. Zheng. A Compact Model for Poly-silicon TFTs Leakage Current including Poole-Frenkel Effect. IEEE Trans. Electron Devices，2007，54（11）：2975-2983
51、 W.J. Wu, R.H. Yao, X.R. Zheng, W.L. Deng, X.P. Ou A new extraction method of poly-Si TFT model parameters in the leakage region. Solid-State Electronics，2007，51（5）：778-783
52、 周斌，黄云，恩云飞，付志伟，陈思，姚若河.热-电应力下Cu/Ni/SnAg1.8/Cu倒装铜柱凸点界面行为及失效机理. 物理学报，2018,67（2）：028101-1-9
53、 蔡旻熹； 姚若河, 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响.华南理工大学学报(自然科学版),2016, 44(9):61-66 (61274085 )
54、 林晓玲，练建文，章晓文，姚若河，3D叠层封装集成电路的缺陷定位方法.华南理工大学学报(自然科学版),2016, 44(5):36-41
55、 周斌; 李勋平; 恩云飞; 卢桃; 何小琦; 姚若河,高温时效下Sn/SnPb混装焊点的微观组织研究.华南理工大学学报(自然科学版),2016, 44(5):8-14
56、 秦剑，姚若河，非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型，华南理工大学学报(自然科学版),2016, 44(1):30-36 (61274085 )
57、 黄世洋，陈奉仪，姚若河，一个应用混合基算法的余数系统后置转换电路设计，华南师范大学学报(自然科学版) ,2015, 47(5):159-162,发表时间：2015-9-15
58、 姚若河，马廷俊，苏少妍，基于Sklansky结构的24位并行前缀加法器的设计与实现，现代电子技术,2015, 38(21):145-148
59、 徐飘荣，强蕾，姚若河，一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法,物理学报，2015,61（23）：237104-1-6
60、 林晓玲，练建文，章晓文，姚若河，基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术，华南理工大学学报(自然科学版),2014, 42(9) :70-75
61、 姚若河，徐新才，基于冗余符号数的定点乘法器的设计，华南理工大学学报(自然科学版),2014, 42(3) :27-34
62、 姚若河，徐新才，基于FPGA的高斯分布随机数的生成，华南理工大学学报(自然科学版),2013, 41(11) :1-7  
63、 沈奕，姚若河，采用准分子激光退火的室温沉积ITiO薄膜的性能研究，功能材料，2013，44（11）：3146-3148.沈奕，姚若河，吕岳敏，基于二色性染料及聚合物取向的液晶光开关的制备及其性能研究，光电子•激光,2013, 24(5 ) :908-9011
64、 熊超,陈磊,袁洪春,姚若河. 细致平衡理论计算CdS/CdTe异质结太阳电池的极限转换效率.太阳能学报. 2013,34(5): 746-751
65、 陈晓雪，姚若河，基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究,物理学报，2012,61（23）：237104-1-6
66、 许佳雄，姚若河，n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-Cu2ZnSnS4太阳能电池光伏特性的分析，物理学报，2012,61（18）：187304-1-8
67、 林晓玲，肖庆中，恩云飞，姚若河，倒装芯片塑料球栅阵列封装器件在外应力下的失效机理，物理学报，2012,61（12）：128502-1-7
68、 强蕾 姚若河,非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布,物理学报，2012,61（8）：087303-1-6
69、 吕晓兰，姚若河，4基数模集合反向转换器的设计．华南理工大学学报(自然科学版),2012, 40(9 ) :93-96
70、 王力纬，罗宏伟，姚若河，基于旁路分析的硬件木马检测方法．华南理工大学学报(自然科学版),2012, 40(6 ) :6-10
71、 吴穹，姚若河，刘玉荣．基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型．华南理工大学学报(自然科学版),2011, 39( 10 ) :1-6
72、 熊超，姚若河，耿魁伟．基于扩散模型的ZnO /p－Si异质结伏安特性研究．华南理工大学学报(自然科学版),2011, 39( 2 ) :1-6
73、 林晓玲，侯通贤，章晓文，姚若河. 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响. 华南理工大学学报(自然科学版),2011, 39(3) :135-139
74、 林晓玲，刘建，章晓文，侯通贤，姚若河，化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析. 微电子学2011，41（1）：143-145
75、 邹心遥,姚若河.LSSVM 在指数寿命型小子样IC 寿命预测的应用. 科学技术与工程,2011, 24( 9) :5946-5949
76、 刘远，姚若河，李斌. 非晶硅薄膜晶体管的热阻模型.液晶与显示,2011, 26(1) :28-33
77、 刘远，姚若河，李斌.非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型. 微电子学.2011，41（1）：150-154
78、 刘远，姚若河，李斌. 非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型.微电子学.2011，41（2）：304-309
79、 刘永广，张剑，姚若河.基于最大干扰网络编码的应用层多播算法.计算机应用.2011，31（7）：1959-1961
80、 陈辉, 姚若河, 王晓晗, 恩云飞, 魏建中.一种AT E 测试向量时序优化算法.微电子学.2011，41（2）：310-314
81、 万文坚，姚若河，耿魁伟，Mg 和Zn 掺杂CuAlS2电子结构的分析，物理学报，2011,60（6）：067103-1-6  IDS 号: 782OA
82、 钟春良，耿魁伟，姚若河. a-Si : H / c-Si异质结太阳电池J-V曲线的S-Shape现象. 物理学报. 2010, 59( 9 ) :6538-6544
83、 刘永广，张剑，陈瑞昭，姚若河，一种基于网络编码的Ad Hoc网络多路径源选路由算法，华南师范大学学报(自然科学版) 2010, ( 3 ) :42-46
84、 姚若河 陈中盟. 抗谐波锁定的延时锁相环. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 9 ) :1-6
85、 许佳雄，姚若河，耿魁伟. 用Lambert W函数求解太阳能电池的串联电阻. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 6 ):42-45
86、 方明，姚若河. 基于施密特比较器的高可靠上电复位电路. 微电子学，2010，40（5）：709-712
87、 侯通贤，姚若河，林晓玲. 伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响. 微电子学，2010，40（2）：295-299
88、 侯通贤，林晓玲，姚若河. 互连宽度对铜互连应力可靠性的影响. 微电子学，2010，40（1）：122-125
89、 陈中盟，姚若河. 分段式电流舵D/ A转换器抗dL/ dt噪声设计. 微电子学，2010，40（1）：1-5
90、 陈建文, 姚若河. 高效的五基数剩余数至二进制数转换器设计. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 5 ):55-60
91、 姚若河，欧秀平. 多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 5 ):61-64
92、 姚若河，欧秀平. 低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 1 ):14-17
93、 何贵平，张弜，姚若河. Er3+和Ce3+/ Ce4+掺杂- BaB2O4纳米棒的制备、结构与发光性质. 物理化学学报.2010，26（3）：685-690
94、 钟金广，姚若河，侯识华，基于非均匀高斯函数的无刷直流电动机模糊控制，微特电机，2009，（7）：41-44
95、 易翔, 姚若河，一种基于频率---电压变换器的高精度时钟振荡器，微电子学，2009，39（3）：344-347
96、 林晓玲，孔学东，恩云飞，章晓文，姚若河，SiGe HBT的热载流子效应评价. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 5 ):23-26
97、 彭强，姚若河. 新型OLED测试系统的设计与实现. 半导体技术，2009,34(5):467-469
98、 贝承训，王达，姚若河，李斌. La0.8Sr0.2Mn0.86Fe0.14-xCoxO3的微波吸收特性. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 3):43-46
99、 刘满雀，姚若河，一种高精度电流检测电路的设计，中国集成电路, 2009，18（3）53-57
100、 卞振鹏，姚若河，郑学仁. 4 Gbps低功耗并串转换CMOS集成电路, 电子与封装, 2009,9（2）：21-23
101、 刘远，姚若河，李斌. 非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 1):15-18
102、 邹心遥，姚若河. 支持向量机在小子样IC可靠性评估中的应用. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 1):23-26
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108、 路延，姚若河. 一种低电压恒定跨导Rail-to-Rail的CMOS运放输入级，电子器件，2008，31（5）：1479-1482
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114、 路香香，姚若河，罗宏伟,ESD应力下的NMOSFET模型. 微电子学，2007，37（6）：842-847
115、 张炜华， 姚若河， 吴桐庆. 一种改进的模拟占空比矫正电路. 微电子学与计算机, 2007,24(3):119-121
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121、 裴庆斐，姚若河，基于前馈线性化的研究及改进，现代电子技术，2006，29（9）：10-13     （5月出版）
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126、 姚若河; 张炜华; 朱建培; 敬小成; 吴纬国; 小像素CCD的关键技术进展, 中国集成电路, 2005,（1）：87-89
127、 敬小成; 黄美浅; 姚若河; 携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响, 微电子学, 2005,35（5）：456-460
128、 敬小成; 姚若河; 吴纬国;二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究, 半导体技术,2005,30（6）：37-40,44

指导学生情况

指导的研究生曾获全国“挑战杯”特等奖，全国研究生智慧城市技术与创意设计大赛一等奖，全国高校互联网应用创新大赛二等奖，广东省南粤科技创新优秀学术论文二等奖，广东省优秀博士学位论文和广东省优秀硕士学位论文等。

我的团队

微电子器件团队：微电子器件团队以半导体材料及物理、微电子器件的设计及制备工艺等开展科学研究，结合国家与区域重大产业需求，与企业合作进行产业化的应用研究。团队近期的主要研究课题有：国家级科研项目6项，省部级科研项目15项等；研究领域包括：集成薄膜晶体管及其在柔性显示、可穿戴电子产品等领域的应用研究；基于三维微结构的新型传感器及集成一体化MEMS传感器；针对5G通信系统和可见光通信系统，开展以GaN基和SiC基等为代表的第三代半导体器件的机理、工艺等基础及应用研究；高性能2D薄膜材料的新型半导体光电器件和太阳能电池器件的基础及应用研究等。相关研究成果在IEEE Transactions on Electron Devices，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability，IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems，IEEE Electron Device Letters和IEEE Photonics Technology Letters等国际学术期刊发表论文200多篇，近5年获授权发明专利6件。