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更新日期：2025年3月2日
姓 名 吴为敬 性 别 男
出生年月 1979年4月 籍贯 连江
民 族 汉族 政治面貌 中国共产党党员
最后学历 博士研究生毕业 最后学位 工学博士
技术职称 教授 导师类别 博、硕导
行政职务 Email wuwj@scut.edu.cn
工作单位 发光材料与器件国家重点实验室 邮政编码
通讯地址
单位电话
个人简介
吴为敬，男，博士，教授，博士生/硕士生导师 ， IEEE 高级会员，SID会员。发光材料与器件国家重点实验室固定成员，SID北京分会显示电子（Display Electronics）技术委员会主席，长期从事薄膜晶体管器件物理、薄膜电子器件集成及应用的教学及研究工作。主持3项国家自然科学基金项目、广东省重大科技专项，2项华为研究项目，广东省优秀博士学位论文作者资助项目、广东省自然科学基金、中央高校基本科研业务费重点/面上项目等9项，参与国家“863”、“973”、广东省重大科技专项、广州市科技计划等项目5项。在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters等国际期刊上发表SCI论文30余篇，多个国际期刊审稿人。申请发明专利10余件，已授权8件。发明阈值电压一次锁存的显示驱动新方法，可显著降低基于LTPS/LTPO/Oxide背板技术的AMOLED/Micro LED显示的动态功耗（节省40%-50%），有望解决LTPO  OLED 显示高刷新率下能耗焦虑的行业痛点； 在国际上较早实现 TFT 有源 PWM 驱动的 Micro LED 显示屏；研究设计一系列TFT行驱动电路，技术成果应用于国内首块柔性 AMOLED 显示屏，荣获 2017 年广东省技术发明一等奖；发展出一种 TFT 有源层陷阱态密度（DOS）的解析提取方法，为氧化物 TFT 的材料优化、工艺改进、 可靠性评估等方面提供一种便捷的 DOS 分析手段。
工作经历
2019.9-            华南理工大学材料科学与工程学院 教授
2011.9-2019.8  华南理工大学材料科学与工程学院  副教授
2018.2-2018.8  香港科技大学电子与计算机工程系访问学者  （合作教授：Mansun Chan  IEEE Fellow）
2017.2-2017.8  香港科技大学电子与计算机工程系访问学者  （合作教授：Mansun Chan  IEEE Fellow ）
2008.7-2011.8  华南理工大学材料科学与工程学院  讲师
教育经历
2003.9-2008.6   华南理工大学   电子与信息学院       微电子学与固体电子学       博士
1999.9-2003.6    华南理工大学  物理科学与技术学院  电子科学与技术（微电子） 学士
获奖、荣誉称号
首批全国高校黄大年式教师团队成员（2018）
首届中国光学科技奖三等奖（2018，7）
广东省技术发明一等奖 （2017，8）
第九届广东省教育教学成果奖（高等教育）一等奖  （2020，6）
第八届广东省教育教学成果奖（高等教育）一等奖  （2017，5）
第七届广东省教育教学成果奖（高等教育）二等奖 （2014，3）
广东省优秀博士学位论文 （2009）
第二届南粤科技创新优秀学术论文三等奖 （2011）
南粤科技创新优秀学术论文二等奖 （2008）
社会、学会及学术兼职
SID北京分会显示电子（Display Electronics）技术委员会主席。
发表论文
1.C. Liu, L.Zhou, Z.H. Zhou, F.F.Li,X.Q.Wei, M.Xu,L.Wang, W.J.Wu, J.B.Peng. A high-reliability scan driver integrated circuit by MO TFTs for a foldable display. Flexible and Printed Electronics,8(2023)015015.
2.J.R.Chen,W.X.Xu,W.C.Zuo,X.L.Mei,L.Zhou, M.Xu,L.Wang, W.J.Wu, Y.R.Liu, J.B.Peng. A 50 dB high-gain operational amplifier integrated with metal-oxide TFTs. Semicond. Sci. Technol. 37:105010 (7pp),2022.
3.P.A.Zou, Y.G.Xu, C.Liu,  L.R.Zhang, J.H.Zhang, Y.K.Yuan, W.Cai, S.H.Han, L.Zhou, M.Xu, L.Wang, W.J.Wu, J.B.Peng. A new analog PWM pixel circuit with metal oxide TFTs for Micro-LED displays. IEEE Transactions on Electron Devices, 69(8): 4306-4311,2022.
4.K.Xiang, H.Y. Li, F.F. Li, H. Xu,L.Zhou, M.Xu, L.Wang, W.J.Wu*, J.B.Peng. An analytical frequency-dependent capacitance-voltage model for metal oxide thin-film transistors.    IEEE Transactions on Electron Devices, 69(1): 141-146, Jan. 2022.
5.Y.Z.Lin, C.Liu, J.H. Zhang, Y.K. Yuan, W.Cai, L.Zhou, M.Xu, L.Wang,W.J.Wu*, J.B.Peng. Active-Matrix Micro-LED display driven by metal oxide TFTs using digital PWM method. IEEE Transactions on Electron Devices, 68(11): 5656-5661, Nov. 2021.
6.Y.G. Xu, C.P. Ruan, L.Zhou, J.H.Zou，M.Xu*, W.J.Wu*, L. Wang, J.B.Peng. A 256×256,50 μm Pixel pitch OPD image sensors based on an IZO TFT backplane. IEEE sensors Journal, 21(18):20824-20832, Sep.2021.
7.P.A. Zou, J.W. Chen, K. Xiang, L.Zhou, J.H.Zou, M.Xu, L.Wang, W.J.Wu*, J.B.Peng, M.Chan. A modified NMOS inverter with rail-to-rail output swing and its application in the gate driver by metal oxide TFTs.IEEE Journal of The Electron Devices Society, 9:722-727, 2021
8.X.L.Mei, Z.J.Chen, W.X. Xu, L.Zhou, W.J.Wu*, J.H.Zou, M.Xu, L.Wang, Y.R.Liu, J.B.Peng. A Common Drain Operational Amplifier Using Positive Feedback Integrated by Metal-Oxide TFTs.IEEE Journal of The Electron Devices Society, 9:342-347, 2021.
9.林奕圳，胡宇峰，周雷，吴为敬*，邹建华，徐 苗，王磊，彭俊彪. 新型低功耗金属氧化物 TFT 集成行驱动电路. 发光学报, 41(1):103-109, 2020. (EI)
10.Y.G. Xu, J.W.Chen, W.X.Xu,  L.Zhou, W.J.Wu*, J.H.Zou，M.Xu,  L. Wang, J.B.Peng. A metal oxide TFT gate driver with a single negative power source employing a boosting module. Journal of information display, 21(1):57-64,2020. (EI)
11.W.X. Xu, J.W.Chen, L. Zhou, M. Xu,  L. Wang,W.J. Wu*, Y.R. Liu, J.B. Peng. High-Speed ring oscillator using skewed delay scheme integrated by metal-oxide TFTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 67(12): 5526-5531, Dec. 2020.
12.C. Liu, Y.Z.Lin, W.J. Wu*, L. Zhou, M. Xu, L. Wang, J.B. Peng. A scan driver including light emission control integrated by metal-oxide thin-film transistors . Semiconductor Science and Technology, 36:025006, 2020.
13.G.M. Qing, L.J. Zhang*, D.Yuan, H.Y. Jiang, W. Tang, M.J. Chen, W.J. Wu*, Y. Cao, J.W. Chen*. Simultaneous improvement of three parameters using a binary processing solvent system approach in as-cast non-fullerene solar cells. J. Mater. Chem. A, 2019, 7,25978-25984.
14.Y.G. Xu, J.W. Chen, W.X. Xu, L. Zhou, W.J.Wu*, J. H. Zou, M. Xu, L.Wang, J.B. Peng. A metal oxide TFT gate driver with a single negative power source employing a boosting module. Journal of Information Display,2019.  https://doi.org/10.1080/15980316.2019.1689190
15.L.R. Zhang, W.P. Xiao, W.J. Wu*, B.Q. Liu*. Research Progress on Flexible Oxide-Based Thin Film Transistors. Applied Sciences, 9(4):773, 2019.
16.Z.J. Chen, W.X. Xu, J.D. Wu, L. Zhou, W.J. Wu*, J.H. Zou, M. Xu, L. Wang, Y.R. Liu, J.B. Peng. A new high-gain operational amplifier using transconductance-enhancement topology integrated with metal oxide TFTs. IEEE Journal of The Electron Devices Society, 7(1):111-117, 2019.
17.J.D. Wu, Z.J. Chen, J.S. Wang, L. Zhou, W.J. Wu*, M. Xu, L. Wang, R.H. Yao, J.B. Peng. Manchester-encoded data transmission circuit integrated by metal-oxide TFTs suitable for 13.56MHz radio-frequency identification tag application. IET Circuits Devices & Systems, 12(6):771-776, 2018.
18.W.J. Wu, J.W. Chen, J.S. Wang, L. Zhou, H. Tao, J.H. Zou, M. Xu*, L. Wang, J.B. Peng*, M. Chan. High-Resolution Flexible AMOLED Display Integrating Gate Driver by Metal–Oxide TFTs. IEEE Electron Device Letters, 39(11):1660-1663, 2018.
19.F. Zhan, J.D. Wu, L. Zhou, J.H. Zou, H. Tao, M. Xu, L. Wang, M. Huang, Y.R. Liu, W.J. Wu*, J.B. Peng. A low-power D flip flop integrated by metal oxide thin film transistors employing internal feedback control. Semiconductor Science and Technology, 33:115004, 2018.
20.X.Z. Liu, H.L. Ning, W.F. Chen, Z.Q. Fang, R.H. Yao*, X.F. Wang, Y.X. Deng, W.J. Yuan, W.J. Wu*, J.B. Peng. Effect of Source/Drain Electrodes on the Electrical Properties of Silicon-Tin Oxide Thin-Film Transistors. Nanomaterials, 8(5):293, 2018.
21.M. Li, W. Zhang, W.F. Chen, M.L. Li, W.J. Wu*, H. Xu, J.H. Zou, H. Tao, L. Wang, M. Xu*, J.B. Peng. Improving Thermal Stability of Solution-Processed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors by Praseodymium Oxide Doping. ACS Appl. Mater. Interfaces, 10(34): 28764−28771, 2018.
22.W.F. Chen, W.J. Wu*, L. Zhou, M. Xu, L. Wang, H.L. Ning, J.B. Peng. A semi-analytical extraction method for interface and bulk density of states in metal oxide thin-film transistors. Materials, 11(3): 416, 2018.
23.W.F. Chen, G.M. Qin, L. Zhou, W.J. Wu*, J.H. Zou, M. Xu, L. Wang, J.B. Peng. A physics-based model of flat-band capacitance for metal oxide thin-film transistors. AIP Advances, 8(6): 065319, 2018.
24.J.W. Chen, Y.F. Hu, Z.J. Chen, L. Zhou, W.J. Wu*, J.H. Zou, M. Xiao, L. Wang, J.B. Peng. A low-power gate driver integrated by IZO TFTs employing single negative power source. Semiconductor Science and Technology, 33(6):065006-1-6, 2018.
科研创新
专利：发明人，题目，专利号，申请日期， 授权日期
1、吴为敬 夏兴衡 李冠明 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪. 一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法。 专利号： ZL 2015 1 0633513.0 , 申请日：2015.09.28， 授权公告日：2018.09.14
2、吴为敬 胡宇峰 李冠明  徐苗 王磊  彭俊彪。 一种栅极驱动单元及行栅极扫描驱动器及其驱动方法。专利号： ZL 2016 10362978.1, 申请日：2016.05.25. 授权公告日：2018.06.22
3、吴为敬 李冠明 胡宇峰 徐苗 王磊  彭俊彪。 一种驱动电路单元及其驱动方法及行栅极驱动集成电路。专利号： ZL 2016 10504990.1, 申请日：2016.06.28. 授权公告日：2018.07.20
4、吴为敬 黄长煜 姚若河,  栅极集成驱动电路的反相器、栅极集成驱动器及驱动方法 ZL 201410755782.X ,2014.12.10  2017.09.26
5、吴为敬 李冠明 夏兴衡 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪一种行栅极扫描器及其驱动方法 ZL201410175542.2， 2014.04.28， 2017.04.05
6、吴为敬 宋小锋，张立荣 李冠明 王磊 彭俊彪. 一种行集成电路。 ZL 2014 1 0114475.3, 2014.03.26, 2016.08.17
7、吴为敬 张立荣 宋小锋 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 平板显示器的栅极驱动电路及其低功耗输出模块 ZL201410211781.9, 2016.05.04
8、吴为敬 夏兴衡 李冠明 周雷 张立荣 王磊 彭俊彪 有源有机电致发光显示器的像素电路及其驱动方法  ZL201410214112.7  2016-05-04
9、吴为敬 李冠明 张立荣 夏兴衡 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 栅极驱动单元及栅极扫描驱动器及其驱动方法 ZL201310652260.2  2016-03-02
10、吴为敬 夏兴衡 李冠明 周雷 张立荣 王磊 彭俊彪 一种有源有机电致发光显示器的像素电路的驱动方法 ZL201310511553.9  2015-12-02
11、吴为敬 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 有源有机电致发光显示器扫描驱动器及其驱动方法 ZL201210553756.X 2015-06-03
12、吴为敬 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 有源有机电致发光显示器的扫描驱动器及其驱动方法 ZL201210505333.0  2014-12-31
13、许志平 吴为敬 赖志成 谢佳松 颜骏 具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法 ZL201110110050.1  2013-07-03